IPD068P03L3G ny original elektroniske komponenter IC-brikke MCU BOM-tjeneste på lager IPD068P03L3G
Produktegenskaper
| TYPE | BESKRIVELSE |
| Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Mfr | Infineon teknologier |
| Serie | OptiMOS™ |
| Pakke | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-type | P-kanal |
| Teknologi | MOSFET (metalloksid) |
| Dren to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Strøm – Kontinuerlig drenering (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drivspenning (maks. Rds på, min. Rds på) | 4,5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6,8 mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 150µA |
| Portlading (Qg) (Maks) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs (maks) | ±20V |
| Inngangskapasitans (Ciss) (Max) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
| FET-funksjon | - |
| Effekttap (maks.) | 100W (Tc) |
| Driftstemperatur | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Monteringstype | Overflatemontert |
| Leverandørenhetspakke | PG-TO252-3 |
| Pakke / Etui | TO-252-3, DPak (2 avledninger + tabulator), SC-63 |
| Grunnproduktnummer | IPD068 |
Dokumenter og medier
| RESSURSTYPE | LINK |
| Dataark | IPD068P03L3 G |
| Andre relaterte dokumenter | Veiledning for delenummer |
| Utvalgt produkt | Databehandlingssystemer |
| HTML-dataark | IPD068P03L3 G |
| EDA-modeller | IPD068P03L3GATMA1 av Ultra Librarian |
Miljø- og eksportklassifiseringer
| EGENSKAP | BESKRIVELSE |
| RoHS-status | ROHS3-kompatibel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (ubegrenset) |
| REACH-status | REACH Upåvirket |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Tilleggsressurser
| EGENSKAP | BESKRIVELSE |
| Andre navn | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| Standard pakke | 2500 |
Transistor
En transistor er enhalvlederenhetpleide åforsterkeellerbytte omelektriske signaler ogmakt.Transistoren er en av de grunnleggende byggesteinene i moderneelektronikk.[1]Den er sammensatt avhalvledermateriale, vanligvis med minst treterminalerfor tilkobling til en elektronisk krets.ENSpenningellernåværendepåført et par av transistorens terminaler kontrollerer strømmen gjennom et annet par terminaler.Fordi den kontrollerte (utgangs)effekten kan være høyere enn den kontrollerende (inngangs)effekten, kan en transistor forsterke et signal.Noen transistorer er pakket individuelt, men mange flere finnes innebygd iintegrerte kretser.
østerriksk-ungarsk fysiker Julius Edgar Lilienfeldforeslått begrepet enfelteffekttransistori 1926, men det var ikke mulig å faktisk konstruere en fungerende enhet på den tiden.[2]Den første fungerende enheten som ble bygget var enpunkt-kontakt transistoroppfunnet i 1947 av amerikanske fysikereJohn BardeenogWalter Brattainmens du jobber underWilliam ShockleypåBell Labs.De tre delte 1956Nobelprisen i fysikkfor deres prestasjon.[3]Den mest brukte typen transistor ermetall-oksid-halvleder felteffekttransistor(MOSFET), som ble oppfunnet avMohamed AtallaogDawon Kahngpå Bell Labs i 1959.[4][5][6]Transistorer revolusjonerte elektronikkfeltet, og banet vei for mindre og billigereradioer,kalkulatorer, ogdatamaskiner, blant annet.
De fleste transistorer er laget av svært rensilisium, og noen fragermanium, men enkelte andre halvledermaterialer brukes noen ganger.En transistor kan ha bare én type ladningsbærer, i en felteffekttransistor, eller kan ha to typer ladningsbærere ibipolar junction transistorenheter.Sammenlignet medvakuumrør, transistorer er generelt mindre og krever mindre strøm for å fungere.Visse vakuumrør har fordeler fremfor transistorer ved svært høye driftsfrekvenser eller høye driftsspenninger.Mange typer transistorer er laget etter standardiserte spesifikasjoner av flere produsenter.
