AQX IRF7416TRPBF Ny og original integrert Circuit ic chip IRF7416TRPBF
Produktegenskaper
| TYPE | BESKRIVELSE |
| Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Mfr | Infineon teknologier |
| Serie | HEXFET® |
| Pakke | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-type | P-kanal |
| Teknologi | MOSFET (metalloksid) |
| Dren to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Strøm – Kontinuerlig drenering (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drivspenning (maks. Rds på, min. Rds på) | 4,5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5,6A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Portlading (Qg) (Maks) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (maks) | ±20V |
| Inngangskapasitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF ved 25 V |
| FET-funksjon | - |
| Effekttap (maks.) | 2,5 W (Ta) |
| Driftstemperatur | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Monteringstype | Overflatemontert |
| Leverandørenhetspakke | 8-SO |
| Pakke / Etui | 8-SOIC (0,154 tommer, 3,90 mm bredde) |
| Grunnproduktnummer | IRF7416 |
Dokumenter og medier
| RESSURSTYPE | LINK |
| Dataark | IRF7416PbF |
| Andre relaterte dokumenter | IR delenummereringssystem |
| Produktopplæringsmoduler | Høyspente integrerte kretser (HVIC-portdrivere) |
| Utvalgt produkt | Databehandlingssystemer |
| HTML-dataark | IRF7416PbF |
| EDA-modeller | IRF7416TRPBF av Ultra Librarian |
| Simuleringsmodeller | IRF7416PBF Sabre modell |
Miljø- og eksportklassifiseringer
| EGENSKAP | BESKRIVELSE |
| RoHS-status | ROHS3-kompatibel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (ubegrenset) |
| REACH-status | REACH Upåvirket |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Tilleggsressurser
| EGENSKAP | BESKRIVELSE |
| Andre navn | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| Standard pakke | 4000 |
IRF7416
fordeler
Plan cellestruktur for bred SOA
Optimalisert for bredest tilgjengelighet fra distribusjonspartnere
Produktkvalifisering i henhold til JEDEC-standard
Silisium optimalisert for applikasjoner som bytter under <100KHz
Industristandard overflatemontert kraftpakke
Kan bølgeloddes
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET i en SO-8-pakke
fordeler
RoHS-kompatibel
Lav RDS (på)
Bransjeledende kvalitet
Dynamisk dv/dt vurdering
Rask veksling
Fullt skredvurdert
175°C Driftstemperatur
P-kanal MOSFET
Transistor
En transistor er enhalvlederenhetpleide åforsterkeellerbytte omelektriske signaler ogmakt.Transistoren er en av de grunnleggende byggesteinene i moderneelektronikk.[1]Den er sammensatt avhalvledermateriale, vanligvis med minst treterminalerfor tilkobling til en elektronisk krets.ENSpenningellernåværendepåført et par av transistorens terminaler kontrollerer strømmen gjennom et annet par terminaler.Fordi den kontrollerte (utgangs)effekten kan være høyere enn den kontrollerende (inngangs)effekten, kan en transistor forsterke et signal.Noen transistorer er pakket individuelt, men mange flere finnes innebygd iintegrerte kretser.
østerriksk-ungarsk fysiker Julius Edgar Lilienfeldforeslått begrepet enfelteffekttransistori 1926, men det var ikke mulig å faktisk konstruere en fungerende enhet på den tiden.[2]Den første fungerende enheten som ble bygget var enpunkt-kontakt transistoroppfunnet i 1947 av amerikanske fysikereJohn BardeenogWalter Brattainmens du jobber underWilliam ShockleypåBell Labs.De tre delte 1956Nobelprisen i fysikkfor deres prestasjon.[3]Den mest brukte typen transistor ermetall-oksid-halvleder felteffekttransistor(MOSFET), som ble oppfunnet avMohamed AtallaogDawon Kahngpå Bell Labs i 1959.[4][5][6]Transistorer revolusjonerte elektronikkfeltet, og banet vei for mindre og billigereradioer,kalkulatorer, ogdatamaskiner, blant annet.
De fleste transistorer er laget av svært rensilisium, og noen fragermanium, men enkelte andre halvledermaterialer brukes noen ganger.En transistor kan ha bare én type ladningsbærer, i en felteffekttransistor, eller kan ha to typer ladningsbærere ibipolar junction transistorenheter.Sammenlignet medvakuumrør, transistorer er generelt mindre og krever mindre strøm for å fungere.Visse vakuumrør har fordeler fremfor transistorer ved svært høye driftsfrekvenser eller høye driftsspenninger.Mange typer transistorer er laget etter standardiserte spesifikasjoner av flere produsenter.
