order_bg

Produkter

Helt nye originale elektroniske komponenter IC Chip IRF3205STRLPBF integrerte kretser

Kort beskrivelse:


Produkt detalj

Produktetiketter

Produktegenskaper

TYPE BESKRIVELSE
Kategori Diskrete halvlederprodukter

Transistorer – FET-er, MOSFET-er – Enkelt

Mfr Infineon teknologier
Serie HEXFET®
Pakke Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

Produktstatus Aktiv
FET-type N-kanal
Teknologi MOSFET (metalloksid)
Dren to Source Voltage (Vdss) 55 V
Strøm – Kontinuerlig drenering (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drivspenning (maks. Rds på, min. Rds på) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA
Portlading (Qg) (Maks) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Vgs (maks) ±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (Max) @ Vds 3247 pF @ 25 V
FET-funksjon -
Effekttap (maks.) 200W (Tc)
Driftstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Monteringstype Overflatemontert
Leverandørenhetspakke D2PAK
Pakke / Etui TO-263-3, D²Pak (2 avledninger + tabulator), TO-263AB
Grunnproduktnummer IRF3205

Dokumenter og medier

RESSURSTYPE LINK
Dataark IRF3205(S,L)PbF
Andre relaterte dokumenter IR delenummereringssystem
Produktopplæringsmoduler Høyspente integrerte kretser (HVIC-portdrivere)
Utvalgt produkt Databehandlingssystemer
HTML-dataark IRF3205(S,L)PbF
EDA-modeller IRF3205STRLPBF av SnapEDA

IRF3205STRLPBF av Ultra Librarian

Simuleringsmodeller IRF3205SPBF sabelmodell

Miljø- og eksportklassifiseringer

EGENSKAP BESKRIVELSE
RoHS-status ROHS3-kompatibel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (ubegrenset)
REACH-status REACH Upåvirket
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Tilleggsressurser

EGENSKAP BESKRIVELSE
Andre navn IRF3205STRLPBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

Standard pakke 800

En transistor er en halvlederenhet som ofte brukes i forsterkere eller elektronisk styrte brytere.Transistorer er de grunnleggende byggesteinene som regulerer driften av datamaskiner, mobiltelefoner og alle andre moderne elektroniske kretser.

På grunn av deres raske responshastighet og høye nøyaktighet, kan transistorer brukes til en lang rekke digitale og analoge funksjoner, inkludert forsterkning, svitsjing, spenningsregulator, signalmodulasjon og oscillator.Transistorer kan pakkes individuelt eller i et veldig lite område som kan inneholde 100 millioner eller flere transistorer som en del av en integrert krets.

Sammenlignet med elektronrøret har transistoren mange fordeler:

Komponent har ikke noe forbruk

Uansett hvor bra røret er, vil det gradvis forringes på grunn av endringer i katodeatomer og kronisk luftlekkasje.Av tekniske årsaker hadde transistorer det samme problemet da de først ble laget.Med fremskritt i materialer og forbedringer i mange aspekter, varer transistorer vanligvis 100 til 1000 ganger lenger enn elektroniske rør.

Bruker veldig lite strøm

Det er bare en tidel eller titalls av ett av elektronrøret.Det trenger ikke å varme opp filamentet for å produsere frie elektroner som elektronrøret.En transistorradio trenger bare noen få tørre batterier for å lytte seks måneder i året, noe som er vanskelig å gjøre for rørradio.

Det er ikke nødvendig å forvarme

Arbeid så snart du slår den på.For eksempel går en transistorradio av så snart den slås på, og en transistor-TV setter opp et bilde så snart den slås på.Vakuumrørutstyr kan ikke gjøre det.Etter oppstarten, vent en stund for å høre lyden, se bildet.Transistorer er tydeligvis svært fordelaktige innen militær, måling, opptak osv.

Sterk og pålitelig

100 ganger mer pålitelig enn elektronrøret, støtmotstand, vibrasjonsmotstand, som er uforlignelig med elektronrøret.I tillegg er størrelsen på transistoren bare en tiendedel til en hundredel av størrelsen på elektronrøret, svært lite varmeavgivelse, kan brukes til å designe små, komplekse, pålitelige kretser.Selv om produksjonsprosessen til transistoren er presis, er prosessen enkel, noe som bidrar til å forbedre installasjonstettheten til komponentene.


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss