SN74CB3Q3245RGYR 100 % ny og original DC-til-DC-omformer og svitsjregulatorbrikke
Produktegenskaper
| TYPE | ILLUSTRERE |
| kategori | Signalbryter, multiplekser, dekoder |
| produsent | Texas Instruments |
| serie | 74CB |
| pakke inn | Tape og rullende pakker (TR) Isolerende tapepakke (CT) Digi-Reel® |
| Produktstatus | Aktiv |
| type | Bussbryter |
| krets | 8 x 1:1 |
| Uavhengig krets | 1 |
| Strøm - Utgang høy, lav | - |
| Spenningsforsyningskilde | Enkel strømforsyning |
| Spenning - Strømforsyning | 2,3V ~ 3,6V |
| Driftstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Installasjonstype | Type overflatelim |
| Pakke/Bolig | 20-VFQFN eksponert pute |
| Innkapsling av leverandørkomponenter | 20-VQFN (3,5 x 4,5) |
| Produktmasternummer | 74CB3Q3245 |
produkt introduksjon
SN74CB3Q3245 er en FET-bussbryter med høy båndbredde som bruker en ladepumpe for å heve gatespenningen til passtransistoren, og gir en lav og flat PÅ-tilstandsmotstand (ron).Den lave og flate PÅ-tilstandsmotstanden tillater minimal forplantningsforsinkelse og støtter skinne-til-skinne-svitsjing på datainn-/utgangsportene (I/O).Enheten har også lav data I/O-kapasitans for å minimere kapasitiv belastning og signalforvrengning på databussen.SN74CB3Q3245 er spesielt utviklet for å støtte applikasjoner med høy båndbredde, og gir en optimalisert grensesnittløsning som er ideell for bredbåndskommunikasjon, nettverk og dataintensive datasystemer.
SN74CB3Q3245 er organisert som en 8-bits busssvitsj med en enkelt utgangsaktiveringsinngang (OE\).Når OE\ er lav, er bussbryteren PÅ og A-porten er koblet til B-porten, noe som tillater toveis dataflyt mellom portene.Når OE\ er høy, er bussbryteren AV og en høyimpedanstilstand eksisterer mellom A- og B-portene.
Denne enheten er fullt spesifisert for applikasjoner med delvis avslåing som bruker Ioff.Ioff-kretsene forhindrer skadelig tilbakestrømning gjennom enheten når den slås av.Enheten har isolasjon når den slås av.
For å sikre høyimpedanstilstanden under strøm opp eller av, bør OE\ være knyttet til VCC gjennom en pullup-motstand;minimumsverdien til motstanden bestemmes av driverens strømsynkningsevne.
Produktfunksjoner
- Databane med høy båndbredde (opptil 500 MHz↑)
- Tilsvarer IDTQS3VH384-enhet
- 5-V-tolerante I/O-er med enhet slått på eller slått av
- Lav og flat PÅ-tilstand motstand (ron) egenskaper over driftsområde (ron = 4Ω typisk)
- Rail-to-Rail-svitsjing på data I/O-porter Toveis dataflyt, med nesten null forplantningsforsinkelseLav inngangs-/utgangskapasitans minimerer belastning og signalforvrengning (Cio(OFF) = 3,5 pF typisk)
- 0- til 5-V-veksling med 3,3-V VCC
- 0- til 3,3-V-veksling med 2,5-V VCC
- Rask byttefrekvens (fOE\ = 20 MHz Max)
- Data- og kontrollinnganger gir underskuddsklemmedioder
- Lavt strømforbruk (ICC = 1 mA typisk)
- VCC-driftsområde Fra 2,3 V til 3,6 V
- Data I/O-er støtter 0 til 5-V-signaleringsnivåer (0,8-V, 1,2-V, 1,5-V, 1,8-V, 2,5-V, 3,3-V, 5-V)
- Kontrollinnganger kan drives av TTL eller 5-V/3.3-V CMOS-utganger
- Ioff støtter delvis nedkoblingsmodus
- Lach-Up-ytelse overstiger 100 mA per JESD 78, klasse II
- ESD-ytelse testet i henhold til JESD 22 støtter både digitale og analoge applikasjoner: PCI-grensesnitt, Differensial Signal Interface, Memory Interleaving, Bus Isolation, Low-Distortion Signal Gating
- 2000-V menneske-kroppsmodell (A114-B, klasse II)
- 1000-V ladet enhetsmodell (C101)
Produktfordeler
- termisk styring og overspenningsvern
Termisk styring er en annen stor utfordring for batteriladerdesignere.Hver ladebrikke opplever et spenningsfall under ladeprosessen på grunn av varmespredning.For å unngå batteriskade eller systemavstenging, har de fleste ladere en form for kontrollmekanisme for å håndtere varmeoppbygging.Nyere enheter bruker mer sofistikerte tilbakemeldingsteknikker for kontinuerlig å overvåke dysetemperaturen og justere ladestrømmen dynamisk eller ved beregning med en hastighet proporsjonal med endringen i omgivelsestemperaturen.Denne innebygde intelligensen lar strømladerbrikken gradvis redusere ladestrømmen til termisk likevekt er nådd og dysetemperaturen slutter å stige.Denne teknologien gjør at laderen kontinuerlig kan lade batteriet med størst mulig strøm uten å få systemet til å slå seg av, og dermed redusere batteriets ladetid.De fleste nyere enheter i dag vil også vanligvis legge til en overspenningsbeskyttelsesmekanisme.
Laderen BQ25616JRTWR gir ulike sikkerhetsfunksjoner for batterilading og systemoperasjoner, inkludert termistorovervåking av negativ temperaturkoeffisient for batteriet, sikkerhetstimer for lading og overspennings- og overstrømbeskyttelse.Termisk regulering reduserer ladestrømmen når overgangstemperaturen overstiger 110°C.STAT-utgangen rapporterer ladestatus og eventuelle feiltilstander.
Applikasjonsscenarier
Batteriladerbrikken tilhører en slags strømstyringsbrikke, bruksområdet er veldig bredt.Utviklingen av strømstyringsbrikker er viktig for å forbedre ytelsen til hele maskinen, valget av strømstyringsbrikker er direkte relatert til systemets behov, mens utviklingen av digitale strømstyringsbrikker fortsatt må krysse kostnadsbarrieren.
BQ25616/616J er en svært integrert 3-A svitsjmodus batterilading og systemstrømstyringsenhet for encellede Li-Ion- og Li-polymer-batterier.Løsningen er svært integrert med inngangsreversblokkerende FET (RBFET, Q1), høysidesvitsje-FET (HSFET, Q2), lavsidesvitsje-FET (LSFET, Q3) og batteri-FET (BATFET, Q4) mellom system og batteri.Strømbanen med lav impedans optimerer driftseffektiviteten i byttemodus, reduserer batteriets ladetid og forlenger batteriets driftstid under utladingsfasen.
BQ25616/616J er en svært integrert 3-A switch-mode batterilading og system Power Path management enhet for Li-ion og Li-polymer batterier.Den har hurtiglading med støtte for høy inngangsspenning for et bredt spekter av bruksområder, inkludert høyttalere, industrielle og medisinske bærbare enheter.Dens kraftbane med lav impedans optimerer driftseffektiviteten i byttemodus, reduserer batteriets ladetid og forlenger batteriets driftstid under utladingsfasen.Inngangsspenningen og strømreguleringen gir maksimal ladeeffekt til batteriet.
Løsningen er svært integrert med inngangsreversblokkerende FET (RBFET, Q1), høysidesvitsje-FET (HSFET, Q2), lavsidesvitsje-FET (LSFET, Q3) og batteri-FET (BATFET, Q4) mellom system og batteri.Den integrerer også bootstrap-dioden for high-side gate-stasjonen for forenklet systemdesign.Maskinvareinnstillingen og statusrapporten gir enkel konfigurasjon for å sette opp ladeløsningen.
