order_bg

Produkter

Ny og original elektronisk komponent IRF7103TRPBF IC-brikke

Kort beskrivelse:


Produkt detalj

Produktetiketter

Produktegenskaper

TYPE BESKRIVELSE
Kategori Diskrete halvlederprodukter

Transistorer – FET-er, MOSFET-er – Arrays

Mfr Infineon teknologier
Serie HEXFET®
Pakke Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

Produktstatus Aktiv
FET-type 2 N-kanal (dobbel)
FET-funksjon Standard
Dren to Source Voltage (Vdss) 30V
Strøm – Kontinuerlig drenering (Id) @ 25°C 6,5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5,8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id 1V @ 250µA
Portlading (Qg) (Maks) @ Vgs 33nC @ 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (Max) @ Vds 650pF ved 25V
Effekt – Maks 2W
Driftstemperatur -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Monteringstype Overflatemontert
Pakke / Etui 8-SOIC (0,154 tommer, 3,90 mm bredde)
Leverandørenhetspakke 8-SO
Grunnproduktnummer IRF7313

Dokumenter og medier

RESSURSTYPE LINK
Dataark IRF7313PbF
Andre relaterte dokumenter IR delenummereringssystem
Produktopplæringsmoduler Diskrete Power MOSFET-er 40V og under

Høyspente integrerte kretser (HVIC-portdrivere)

Utvalgt produkt Databehandlingssystemer
HTML-dataark IRF7313PbF
Simuleringsmodeller IRF7313 Sabre modell

Miljø- og eksportklassifiseringer

EGENSKAP BESKRIVELSE
RoHS-status ROHS3-kompatibel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (ubegrenset)
REACH-status REACH Upåvirket
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Tilleggsressurser

EGENSKAP BESKRIVELSE
Andre navn IRF7313PBFDKR

SP001562160

IRF7313PBFCT

IRF7313PBFTR

*IRF7313TRPBF

Standard pakke 4000

En transistor er en halvlederenhet som ofte brukes i forsterkere eller elektronisk styrte brytere.Transistorer er de grunnleggende byggesteinene som regulerer driften av datamaskiner, mobiltelefoner og alle andre moderne elektroniske kretser.

På grunn av deres raske responshastighet og høye nøyaktighet, kan transistorer brukes til en lang rekke digitale og analoge funksjoner, inkludert forsterkning, svitsjing, spenningsregulator, signalmodulasjon og oscillator.Transistorer kan pakkes individuelt eller i et veldig lite område som kan inneholde 100 millioner eller flere transistorer som en del av en integrert krets.

Sammenlignet med elektronrøret har transistoren mange fordeler:

1. Komponent har ikke noe forbruk

Uansett hvor bra røret er, vil det gradvis forringes på grunn av endringer i katodeatomer og kronisk luftlekkasje.Av tekniske årsaker hadde transistorer det samme problemet da de først ble laget.Med fremskritt i materialer og forbedringer i mange aspekter, varer transistorer vanligvis 100 til 1000 ganger lenger enn elektroniske rør.

2. Forbruk svært lite strøm

Det er bare en tidel eller titalls av ett av elektronrøret.Det trenger ikke å varme opp filamentet for å produsere frie elektroner som elektronrøret.En transistorradio trenger bare noen få tørre batterier for å lytte seks måneder i året, noe som er vanskelig å gjøre for rørradio.

3. Det er ikke nødvendig å forvarme

Arbeid så snart du slår den på.For eksempel går en transistorradio av så snart den slås på, og en transistor-TV setter opp et bilde så snart den slås på.Vakuumrørutstyr kan ikke gjøre det.Etter oppstarten, vent en stund for å høre lyden, se bildet.Transistorer er tydeligvis svært fordelaktige innen militær, måling, opptak osv.

4. Sterk og pålitelig

100 ganger mer pålitelig enn elektronrøret, støtmotstand, vibrasjonsmotstand, som er uforlignelig med elektronrøret.I tillegg er størrelsen på transistoren bare en tiendedel til en hundredel av størrelsen på elektronrøret, svært lite varmeavgivelse, kan brukes til å designe små, komplekse, pålitelige kretser.Selv om produksjonsprosessen til transistoren er presis, er prosessen enkel, noe som bidrar til å forbedre installasjonstettheten til komponentene.


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss