TO-252 IPD33CN10NG Med høykvalitets chiptransistor Ny og originalpris
Produktegenskaper
| TYPE | BESKRIVELSE |
| Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Mfr | Infineon teknologier |
| Serie | OptiMOS™ |
| Pakke | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-type | N-kanal |
| Teknologi | MOSFET (metalloksid) |
| Dren to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Strøm – Kontinuerlig drenering (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drivspenning (maks. Rds på, min. Rds på) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 29µA |
| Portlading (Qg) (Maks) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Vgs (maks) | ±20V |
| Inngangskapasitans (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF ved 50 V |
| FET-funksjon | - |
| Effekttap (maks.) | 58W (Tc) |
| Driftstemperatur | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Monteringstype | Overflatemontert |
| Leverandørenhetspakke | PG-TO252-3 |
| Pakke / Etui | TO-252-3, DPak (2 avledninger + tabulator), SC-63 |
| Grunnproduktnummer | IPD33CN10 |
Rapporter produktinformasjonsfeil
Vis lignende
Dokumenter og medier
| RESSURSTYPE | LINK |
| Dataark | IPx3xCN10N G |
| Andre relaterte dokumenter | Veiledning for delenummer |
| Utvalgt produkt | Databehandlingssystemer |
| HTML-dataark | IPx3xCN10N G |
| Simuleringsmodeller | MOSFET OptiMOS™ 100V N-kanal kryddermodell |
Miljø- og eksportklassifiseringer
| EGENSKAP | BESKRIVELSE |
| RoHS-status | ROHS3-kompatibel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (ubegrenset) |
| REACH-status | REACH Upåvirket |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Tilleggsressurser
| EGENSKAP | BESKRIVELSE |
| Andre navn | IPD33CN10NGATMA1-ND IPD33CN10NGATMA1CT IPD33CN10NGATMA1TR SP001127812 IPD33CN10NGATMA1DKR |
| Standard pakke | 2500 |
En transistor er en halvlederenhet som ofte brukes i forsterkere eller elektronisk styrte brytere.Transistorer er de grunnleggende byggesteinene som regulerer driften av datamaskiner, mobiltelefoner og alle andre moderne elektroniske kretser.
På grunn av deres raske responshastighet og høye nøyaktighet, kan transistorer brukes til en lang rekke digitale og analoge funksjoner, inkludert forsterkning, svitsjing, spenningsregulator, signalmodulasjon og oscillator.Transistorer kan pakkes individuelt eller i et veldig lite område som kan inneholde 100 millioner eller flere transistorer som en del av en integrert krets.
Sammenlignet med elektronrøret har transistoren mange fordeler:
Komponent har ikke noe forbruk
Uansett hvor bra røret er, vil det gradvis forringes på grunn av endringer i katodeatomer og kronisk luftlekkasje.Av tekniske årsaker hadde transistorer det samme problemet da de først ble laget.Med fremskritt i materialer og forbedringer i mange aspekter, varer transistorer vanligvis 100 til 1000 ganger lenger enn elektroniske rør.
Bruker veldig lite strøm
Det er bare en tidel eller titalls av ett av elektronrøret.Det trenger ikke å varme opp filamentet for å produsere frie elektroner som elektronrøret.En transistorradio trenger bare noen få tørre batterier for å lytte seks måneder i året, noe som er vanskelig å gjøre for rørradio.
Det er ikke nødvendig å forvarme
Arbeid så snart du slår den på.For eksempel går en transistorradio av så snart den slås på, og en transistor-TV setter opp et bilde så snart den slås på.Vakuumrørutstyr kan ikke gjøre det.Etter oppstarten, vent en stund for å høre lyden, se bildet.Transistorer er tydeligvis svært fordelaktige innen militær, måling, opptak osv.
Sterk og pålitelig
100 ganger mer pålitelig enn elektronrøret, støtmotstand, vibrasjonsmotstand, som er uforlignelig med elektronrøret.I tillegg er størrelsen på transistoren bare en tiendedel til en hundredel av størrelsen på elektronrøret, svært lite varmeavgivelse, kan brukes til å designe små, komplekse, pålitelige kretser.Selv om produksjonsprosessen til transistoren er presis, er prosessen enkel, noe som bidrar til å forbedre installasjonstettheten til komponentene.
